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測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機(jī)械應(yīng)力，驗(yàn)證封裝、內(nèi)部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機(jī)械應(yīng)力能力。IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動(dòng)范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實(shí)驗(yàn)壽命,從而得到IGBT的壽命。