Chroma致茂 19501-K局部放電測(cè)試器產(chǎn)品特色

·單機(jī)內(nèi)建交流耐壓測(cè)試與局部放電偵測(cè)功能

·可程式交流耐壓輸出0.1kVac~10kVac

·高精度及高解析度電流表0.01μA~300μA

·局部放電(PD)偵測(cè)范圍1pC~2000pC

·高壓接觸檢查功能(HVCC)

·符合IEC60747-5-5、VDE0884、IEC 60270法規(guī)測(cè)試要求

·內(nèi)建IEC60747-5-5測(cè)試方法

·量測(cè)與顯示單元分離式設(shè)計(jì)

·三段電壓測(cè)試功能

·PD測(cè)量結(jié)果數(shù)值顯示(pC)

·PD不良發(fā)生次數(shù)判定設(shè)定(1~10)

·多語(yǔ)系繁中/簡(jiǎn)中/英文操作介面

·USB畫面擷取功能

·圖形化輔助編輯功能

·標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232遠(yuǎn)端控制介面

Chroma致茂 19501-K局部放電測(cè)試器內(nèi)建交流耐電壓測(cè)試(Hipot Test)與局部放電(Partial Discharge,PD)偵測(cè)功能于一單機(jī)，提供交流電壓輸出0.1kV~10kV，漏電流測(cè)量范圍0.01μA~300μA，局部放電偵測(cè)范圍1pC~2000pC，針對(duì)高壓半導(dǎo)體元件與高絕緣材料測(cè)試應(yīng)用所設(shè)計(jì)與開發(fā)。

Chroma 19501-K局部放電測(cè)試器產(chǎn)品設(shè)計(jì)符合IEC60270-1法規(guī)，針對(duì)高電壓試驗(yàn)技術(shù)中對(duì)局部放電測(cè)試要求，采用窄頻濾波器(Narrowband)量測(cè)技術(shù)進(jìn)行PD放電量測(cè)量，并將量測(cè)結(jié)果以直觀數(shù)值(pC)顯示在螢?zāi)簧献屖褂谜咔宄髁舜郎y(cè)物測(cè)試判定結(jié)果。

產(chǎn)品設(shè)計(jì)上，除了符合IEC60270-1，同時(shí)也符合光耦合器IEC60747-5-5與VDE0884法規(guī)要求，內(nèi)建IEC60747-5-5法規(guī)之測(cè)試方法于儀器內(nèi)部，滿足光耦合器產(chǎn)品生產(chǎn)測(cè)試需求，并提供使用者便利的操作介面。

于生產(chǎn)線上執(zhí)行高壓測(cè)試時(shí)，如果待測(cè)物未能正確及良好連接測(cè)試線，將導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失敗甚至發(fā)生漏測(cè)的風(fēng)險(xiǎn)，因此在測(cè)試前確保待測(cè)物與測(cè)試線良好連接是非常重要的。

Chroma高壓接觸檢查功能(High Voltage Contact Check :HVCC) 系利用Kelvin測(cè)試方法針對(duì)高絕緣能力之元件，于高壓輸出時(shí)同步進(jìn)行接觸檢查，增加測(cè)試有效性與生產(chǎn)效率。

在固體絕緣物中含有氣隙或雜質(zhì)混合在絕緣層時(shí)，額定工作高壓狀態(tài)下，由于較高的電場(chǎng)強(qiáng)度集中于氣隙而產(chǎn)生局部放電(Partial Discharge),持續(xù)性的局部放電會(huì)長(zhǎng)久劣化周遭絕緣材，而影響電氣產(chǎn)品之長(zhǎng)久信賴性，而引起安全事故。

應(yīng)用于電源系統(tǒng)之安規(guī)元件，如光耦合器，因考量如果元件長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生局部放電對(duì)于絕緣材料的破壞，而發(fā)生絕緣失效的情況，進(jìn)而引發(fā)使用者人身安全問題;因此，在IEC60747-5-5法規(guī)中提及，于生產(chǎn)過(guò)程中(Routine test) 必須100%執(zhí)行局部放電(Partial Discharae)檢測(cè)，在最大絕緣電壓條件下不能超過(guò)5pC放電量，確保產(chǎn)品在正常工作環(huán)境中不會(huì)發(fā)生局部放電現(xiàn)象。

局部放電測(cè)試器主要針對(duì)高壓光耦合器、高壓繼電器及高壓開關(guān)等高絕緣耐受力之元件，提供高壓的耐壓測(cè)試與局部放電偵測(cè)，確保產(chǎn)品品質(zhì)與提升產(chǎn)品可靠度。

局部放電意指在絕緣物體中局部區(qū)域發(fā)生放電，且未形成兩電極間的固定通道放電即稱為局部放電。

局部放電測(cè)試器對(duì)待測(cè)物施加一個(gè)特定條件下的電壓，測(cè)量其視在放電電荷量(PD)，除了驗(yàn)證其能否承受瞬間高電壓(Hipot Test)的能力，同時(shí)也驗(yàn)證在額定工作電壓的絕緣完整性。局部放電測(cè)試能夠偵測(cè)待測(cè)物是否存在異常氣隙，透過(guò)施加一個(gè)略高于元件最高額定工作電壓的局部放電電荷測(cè)試，用以檢驗(yàn)電氣元件在正常工作電壓條件下之長(zhǎng)久可靠性，但于實(shí)際生產(chǎn)上絕緣材料內(nèi)部當(dāng)然不可能無(wú)氣隙存在于絕緣材料內(nèi)，故在IEC60747-5-5光耦合器法規(guī)針對(duì)局部放電測(cè)試定義其放電電荷量不能大于5pC(9pd=5pC)。

絕緣固體內(nèi)存在氣泡而產(chǎn)生局部放電說(shuō)明

1.空氣的介電系數(shù)低于絕緣材介電系數(shù)，因此氣泡處電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)大于正常絕緣時(shí)之分壓

2.空氣可承受的電場(chǎng)強(qiáng)度又低于絕緣材，容易在氣泡處產(chǎn)生氣泡放電(Void Discharge)

Ca:絕緣介質(zhì)其余部分的等效電容

Cc:氣隙等效電容

Cb:絕緣介質(zhì)與氣隙串聯(lián)部分的等效電容